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硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管

目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物万博官方网站下载沟道能级的三栅极金属氧化物万博官方网站下载高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。

瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris万博官方网站下载公司所制造的材料结构由5个平行层组成,包括10nm氮化铝镓(Al万博体育手机官网登录)阻挡层,1nm AlN间隔层和10nm 万博体育手机官网登录沟道(图1)。其中阻挡层是以5x1018/cm3的部分水平掺杂硅以增强导电性……(技术详情参见原文:http://mp.ofweek.com/ee/a545673721786 )。